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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2003 [1]
2001 [2]
1992 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/15
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
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浏览/下载:101/8
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提交时间:2010/08/12
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
HYDROGEN-RELATED DONOR IN SILICON-CRYSTALS GROWN IN A HYDROGEN ATMOSPHERE
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1992, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 313-316
ZHONG L
;
WANG ZG
;
WAN S
;
ZHU JB
;
SHIMURA F
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
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