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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/09/14
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD
收藏  |  浏览/下载：72/3  |  提交时间：2010/03/08
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12
Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289
作者:  Jin P;  Li CM
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2010/08/12
Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW
收藏  |  浏览/下载：99/10  |  提交时间：2010/08/12
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ
收藏  |  浏览/下载：100/8  |  提交时间：2010/08/12
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15

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