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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4570-4574 Zhou, M; Zhao, DG 收藏  |  浏览/下载：56/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Ultraviolet photodetector  quantum efficiency  dark current   High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing 期刊论文 chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 27-29 作者:  Xin Wei;  Jun Wang;  Jun Wang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Offset quantum-well method for tunable distributed Bragg reflector lasers and electro-absorption modulated distributed feedback lasers 期刊论文 chinese optics letters, 2005, 卷号: 3, 期号: 8, 页码: 455-456 作者:  Wang Yu 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 Low-threshold-current and high-out-power 660 nm laser diodes with a p-GaAs current blocking layer for DVD-RAM/R 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 2269-2272 Zheng, K; Ma, XY; Lin, T; Wang, J; Liu, SP; Zhang, GZ 收藏  |  浏览/下载：108/35  |  提交时间：2010/03/17 QUANTUM-WELL   Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文 symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002 作者:  Jin P;  Li CM;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：14/2  |  提交时间：2010/10/29 SPECTRUM   A COMPARATIVELY LOW-QUALITY SILICON MATERIAL IMPROVED FOR SOLAR-CELL FABRICATION 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 1993, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 381-383 LI JM; CHONG M; ZHU JC 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15