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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The application of SnS nanoparticles to bulk heterojunction solar cells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 482, 期号: 1-2, 页码: 203-207 作者:  Tan FR 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructures  SnS  Polymers  Solar cells   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY