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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435
Zhao CW (Zhao C. W.)
;
Xing YM (Xing Y. M.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Han GQ (Han G. Q.)
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提交时间:2010/09/07
Si/Ge heterostructures
Strain
High-resolution Transmission electron
microscopy
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