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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of the AlN interlayer crystal quality on the strain evolution of GaN layer grown on Si (111) 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 1, 页码: art.no.011914 Liu W; Zhu JJ; Jiang S; Yang H; Wang JF 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97 作者:  Yu LJ 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 surface micro-roughness  contact angle  root-mean-square roughness  SILICON-WAFERS  ROUGHNESS  INP