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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [3]
学科主题
半导体物理 [2]
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发表日期:2003
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Low-frequency noise properties of gan schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525
作者:
Leung, BH
;
Fong, WK
;
Surya, C
;
Lu, LW
;
Ge, WK
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Low-frequency noise
Deep levels
Deep level transient fourier spectroscopy
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN
期刊论文
science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 198-203
Wang J
;
Zhao DA
;
Liu ZS
;
Feng G
;
Zhu JJ
;
Shen XM
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
MSM
ultraviolet photodetector
responsivity
LOW-NOISE
DETECTORS
PHOTODIODES
SI(111)
GAIN
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