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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum-dot superluminescent diode: a proposal for an ultra-wide output spectrum 期刊论文 Optical and quantum electronics, 1999, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1235-1246 作者:  Sun, ZZ;  Ding, D;  Gong, Q;  Zhou, W;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Sld  Wide spectrum   Two-dimensional ordering of self-assembled inxgal-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu, HZ;  Jiang, WH;  Xu, B;  Zhou, W;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Two-dimensional (2d) ordering  Quantum dot array  Inxga1-xas  Self-assembly  Molecular beam epitaxy  Gaas(311)b  High index   Two-dimensional ordering of self-assembled inxga1-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu, HZ;  Jiang, WH;  Xu, B;  Zhou, W;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Two-dimensional (2d) ordering  Quantum dot array  Inxga1-xas  Self-assembly  Molecular beam epitaxy  Gaas(311)b  High-index   In composition dependence of lateral ordering in ingaas quantum dots grown on (311)b gaas substrates 期刊论文 Applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu, HZ;  Zhou, W;  Xu, B;  Jiang, WH;  Gong, Q 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot array  In(x)ga(1-x)as self-assembly  Molecular beam epitaxy  Gaas (311)b  High-index  Surface structure   Spectral density for the tunneling current zero-frequency shot-noise in a one-dimentional mesoscopic system 期刊论文 Acta Physica Sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 302-313 Z. X. Zhu; D. F. Zheng; Y. Y. Liu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/14 electron-electron scattering  quantum-dot  transient transport  anderson  model  conductors  barrier  equilibrium  contacts   Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum 期刊论文 optical and quantum electronics, 1999, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1235-1246 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  SLD  wide spectrum  LOW-THRESHOLD  INAS ISLANDS  LASERS  GAAS  EMISSION  INGAAS  LAYER  OPERATION  GROWTH   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high-index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  ARRAYS  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching 会议论文 spie conference on photonics technology into the 21st century - semiconductors, microstructures, and nanostructures, singapore, singapore, dec 01-03, 1999 作者:  Liu J 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 GaAs/AlGaAs  quantum dot array  etching method  photoluminescence  WIRES   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY