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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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发表日期:2010
学科主题:光电子学
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Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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提交时间:2010/08/17
Gallium Nitride
Indium Gallium Nitride
Cathodeluminescence
X-ray Diffraction
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Performance of an embedded optical vector matrix multiplication processor architecture
期刊论文
iet optoelectronics, 2010, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 159-164
Yang C (Yang C.)
;
Cui GX (Cui G. X.)
;
Huang YY (Huang Y. Y.)
;
Wu L (Wu L.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Zhang YH (Zhang Y. H.)
收藏
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提交时间:2010/09/07
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