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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strong anisotropy of magnetization and sign reversion of ordinary Hall coefficient in single crystal Ge1-xMnx magnetic semiconductor films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 6 作者:  Deng, J. X.;  Tian, Y. F.;  He, S. M.;  Bai, H. L.;  Xu, T. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 Curie temperature  ferromagnetic materials  germanium  germanium  compounds  Hall effect  hopping conduction  magnetic anisotropy  magnetic semiconductors  magnetic thin films  molecular beam epitaxial  growth  semiconductor thin films   Origin of large positive magnetoresistance in the hard-gap regime of epitaxial Co-doped ZnO ferromagnetic semiconductors 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2009, 卷号: 79, 期号: 11 作者:  Tian, Y. F.;  Yan, Shi-shen;  Cao, Q.;  Deng, J. X.;  Chen, Y. X. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 cobalt  electrical resistivity  ferromagnetic materials  hopping  conduction  II-VI semiconductors  magnetic semiconductors  magnetic thin  films  magnetoresistance  molecular beam epitaxial growth  semiconductor  epitaxial layers  spin polarised transport  wide band gap  semiconductors  zinc compounds   Strong anisotropy of magnetization and sign reversion of ordinary Hall coefficient in single crystal Ge_(1-x)Mn_(x) magnetic semiconductor films 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 期号: 6, 页码: 062513-1-062513-3 作者:  J. X. Deng;  Y. F. Tian;  S. M. He;  H. L. Bai;  T. S. Xu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/26 Origin of large positive magnetoresistance in the hard-gap regime of epitaxial Co-doped ZnO ferromagnetic semiconductors 期刊论文 Physical review, B. Condensed matter and materials physics, 2009, 期号: 11, 页码: 115209:1-115209:5 作者:  Y. F. Tian;  Shi-shen Yan;  Q. Cao;  J. X. Deng;  Y. X. Chen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/26 mechanisms  temperature  magnetoresistance