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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 S-wave resonances in positron-lithium scattering below the Li (n=4) thresholds 期刊论文 PHYSICAL REVIEW A, 2008, 卷号: 78, 期号: 4 作者:  Han, Huili;  Zhong, Zhenxiang;  Zhang, Xianzhou;  Shi, Tingyun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/10/13 EXTENDED CORE STRUCTURE OF DISSOCIATED EDGE DISLOCATIONS IN FCC CRYSTALS WITH CONSIDERATION OF DISCRETENESS 期刊论文 2008, 卷号: 21, 页码: 403-410 作者:  Wu, Xiaozhi[1];  Wang, Shaofeng[1];  Zhang, Huili[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/28 The dissociated properties of dislocation in two-dimensional triangular lattice 期刊论文 2008, 卷号: 6, 页码: 440-444 作者:  Wu Xiaozhi[1];  Wang Shaofeng[1];  Zhang Huili[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/28 EXTENDED CORE STRUCTURE OF DISSOCIATED EDGE DISLOCATIONS IN FCC CRYSTALS WITH CONSIDERATION OF DISCRETENESS EXTENDED CORE STRUCTURE OF DISSOCIATED EDGE DISLOCATIONS IN FCC CRYSTALS WITH CONSIDERATION OF DISCRETENESS 期刊论文 2008, 卷号: 21, 页码: 403-410 作者:  Xiaozhi Wu Shaofeng Wang Huili Zhang[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 S-wave resonances in positron-sodium scattering 期刊论文 PHYSICAL REVIEW A, 2008, 卷号: 77, 期号: 1 作者:  Han, Huili;  Zhong, Zhenxiang;  Zhang, Xianzhou;  Shi, Tingyun 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/10/13 High-performance 4H-SiC based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Al2O3 SiO2 films 期刊论文 appl. phys. lett., 2008, 卷号: 92, 期号: 25, 页码: 251102 Zhang Feng; Yang Weifeng; Huang Huolin; Chen Xiaping; Wu Zhengyun; Zhu Huili; Qi Hongji; 姚建可; 范正修; 邵建达 收藏  |  浏览/下载：1011/224  |  提交时间：2009/09/22 Metal-semiconductor- metal  Silicon carbide (SiC)  Ultra-violet  Ultra-violet photodetectors   Al2O3/SiO2 films prepared by electron-beam evaporation as UV antireflection coatings on 4H-SiC 期刊论文 appl. surf. sci., 2008, 卷号: 254, 期号: 10, 页码: 3045, 3048 Zhang Feng; Zhu Huili; Yang Weifeng; Wu Zhengyun; Qi Hongji; 贺洪波; 范正修; 邵建达 收藏  |  浏览/下载：1183/227  |  提交时间：2009/09/22 UV antireflection coatings  4H-SiC  Al2O3/SiO2 films  electron-beam evaporation