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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Laterally Electrostatically Driven Poly 3C-SiC Folded-Beam Resonant Microstructures 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1453-1456 作者:  Wang Liang;  Ning Jin;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：72/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257 作者:  Liu Xingfang;  Ning Jin;  Zhao Yongmei 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23