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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical properties of violet ingan/alingan light-emitting diodes grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 7-11 作者:  Liu, J. P.;  Shen, G. D.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M.;  Jiang, D. S. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Metal organic chemical vapor deposition  Violet light-emitting diodes  Alingan quaternary alloy   Resonant raman scattering with the e+ band in a dilute gaas1-xnx alloy (x=0.1%) 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Tan, P. H.;  Xu, Z. Y.;  Luo, X. D.;  Ge, W. K.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING   Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 40370 Liu JP (Liu J. P.); Shen GD (Shen G. D.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/04/11 metal organic chemical vapor deposition  violet light-emitting diodes  AlInGaN quaternary alloy  QUATERNARY ALINGAN EPILAYERS  EMISSION  GAN   Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101 Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON-BEAM  VACANCIES