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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 4H-SiC  homoepitaxial layers  surface morphological defect  optical microscopy  SILICON-CARBIDE  DISLOCATIONS  FILMS   Visible blind p(+)-pi-n(-)-n(+) ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1396-1398 作者:  Ning J;  Liu XF 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC