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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 8, 页码: art.no.083123 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：654/4  |  提交时间：2010/04/11 LUMINESCENCE  TEMPERATURE  MODEL   Estimation of frequency response of directly modulated lasers from optical spectra 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 21, 页码: 4578-4581 Zhu NH (Zhu Ning Hua); Zhang T (Zhang Tao); Zhang YL (Zhang Ya Li); Xu GZ (Xu Gui Zhi); Wen JM (Wen Ji Min); Huang HP (Huang Heng Pei); Liu Y (Liu Yu); Xie L (Xie Liang) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 CHIRP PARAMETERS  PHOTODETECTORS  PHOTODIODE   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI   Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered InGaN/GaN quantum wells: the role of localization length 期刊论文 optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157 Wang, YJ (Wang, Y. J.); Xu, SJ (Xu, S. J.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Yang, H (Yang, H.); Shan, XD (Shan, X. D.); Yu, DP (Yu, D. P.) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/03/29 TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE