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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605 胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144 作者:   收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：302/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23