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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2002    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一種具金屬反射鏡之面射型雷射二極體之製作方法 专利 专利号: TW515135B, 申请日期: 2002-12-21, 公开日期: 2002-12-21 作者:  洪瑞華;  武東星;  彭韋智;  何文章;  黃英勳 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2012-08-29 张吉英; 范希武; 赵晓薇; 刘益春 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/08/29 低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-14, 公开日期: 2012-08-29 刘益春; 吕有明; 刘玉学; 张吉英; 申德振; 范希武 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/29 結晶成長方法および半導体発光素子 专利 专利号: JP3269344B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者:  石橋 明彦;  伴 雄三郎;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26