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兰州大学 [1]
金属研究所 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
1989 [3]
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共3条,第1-3条
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发表日期:1989
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Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement
专利
专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
JOHNSTON, JR., WILBUR D.
;
KARLICEK, JR., ROBERT F.
;
LONG, JUDITH A.
;
WILT, DANIEL P.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/26
金属羰基化合物M(CO)(M=Cr,Mo,W)氧原子转移反应动力学与机理
期刊论文
化学学报, 1989, 期号: 2, 页码: 105-111
作者:
师彦龙
;
高忆慈
;
史启祯
;
Basolo
;
F
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/23
反应动力学:4727
反应速率:4677
氧原子转移:3965
反应机理:3188
速率常数:2940
亲核试剂:2874
过渡态:2140
实验结果:1683
缔合机理:1681
量子化学计算:1651
CLEAVAGE CRACK-TIP DEFORMATION IN SINGLE-CRYSTAL ZINC
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1989, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 991-993
F. Ran
;
Q. Y. Long
;
T. Y. Zhang
;
C. W. Lung
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提交时间:2012/04/14
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