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GaN基多孔DBR的制备方法 专利
专利号: CN106848016A, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2017-06-13
作者:  杨超;  刘磊;  朱石超;  赵丽霞
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基于横向多孔GaN的光电器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  刘磊;  刘磊;  刘磊;  刘磊
收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2017/06/02


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