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科研机构
大连理工大学 [1]
微电子研究所 [1]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2016 [2]
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发表日期:2016
内容类型:专利
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一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法
专利
专利号: US9437609, 申请日期: 2016-09-06, 公开日期: 2015-06-25
作者:
霍宗亮
;
刘明
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提交时间:2017/06/09
Multi-directional self-resetting shape memory alloy double-extrusion-lead damper, has right fixing plate opened with circular holes, pre-stress adjusting plate fixed on left pulling plate, and left fixing plate fixed with outer cylinder.
专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-10-12
作者:
CHI H LIU M LI J
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提交时间:2019/12/09
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