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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultrafast fabrication of solid phosphor based white light emitting diodes:From powder synthesis to devices 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 86, 期号: 103, 页码: 121908-1—121908-5 Huang Q(黄庆); Lu Shen (申璐),1 Yang Li (李扬),1,2 and Qing Huang (黄庆)1,a) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/12/16 A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device 专利 专利号: GB2494008A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27 作者:  SILKE TRAUT;  STÉPHANIE SAINTENOY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/p-NiO heterojunction light-emitting diode 期刊论文 Journal of Luminescence, 2013, 期号: 134 Deng R.; Yao B.; Li Y. F.; Xu Y.; Li J. C.; Li B. H.; Zhang Z. Z.; Zhang L. G.; Zhao H. F.; Shen D. Z. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/05/14 Fabrication of GaN-based LEDs with 22 degrees undercut sidewalls by inductively coupled plasma reactive ion etching 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Wang, B; Su, SC; He, M; Chen, H; Wu, WB; Zhang, WW; Wang, Q; Chen, YL; Gao, Y; Zhang, L; Zhu, KB; Lei, Y 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/16 GaN  light-emitting diode (LED)  undercut