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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Light extraction of gan leds with 2-d photonic crystal structure 期刊论文 Chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 918-920 作者:  Liu, Hongwei;  Kan, Qiang;  Wang, Chunxia;  Yu, Feng;  Xu, Xingsheng 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Equilateral-Triangle and Square Resonator Semiconductor Microlasers 期刊论文 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2009, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 879-884 作者:  Yang YD 收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2010/03/08 InP/InGaAsP  microlaser  microresonator  optical resonators  quality factors  semiconductor lasers   Light extraction of GaN LEDs with 2-D photonic crystal structure 期刊论文 chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 918-920 Liu HW (Liu Hongwei); Kan Q (Kan Qiang); Wang CX (Wang Chunxia); Yu F (Yu Feng); Xu XS (Xu Xingsheng); Chen HD (Chen Hongda) 收藏  |  浏览/下载：248/59  |  提交时间：2010/03/08 Growth of nonpolar a-plane gan on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 作者:  Gao, Haiyong;  Yan, Fawang;  Zhang, Yang;  Li, Jinmin;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Nonpolar  Mocvd  Nano-patterned   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：88/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY