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Strain evolution in gan layers grown on high-temperature aln interlayers 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: 3
作者:  Wang, J. F.;  Yao, D. Z.;  Chen, J.;  Zhu, J. J.;  Zhao, D. G.
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利号: EP0951076B1, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2006-09-20
作者:  WANG, SHIH YUAN;  CHEN, YONG;  CORZINE, SCOTT W.;  KERN, R. SCOTT;  COMAN, CARRIE CARTER
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Effects of edge dislocations and intentional si doping on the electron mobility of n-type gan films 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 3
作者:  Zhao, D. G.;  Yang, Hui;  Zhu, J. J.;  Jiang, D. S.;  Liu, Z. S.
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Reduction of dislocations in gan epilayer grown on si (111) substrates using a gan intermedial layer 期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
作者:  Wang Jian-Feng;  Zhang Bao-Shun;  Zhang Ji-Cai;  Zhu Jian-Jun;  Wang Yu-Tian
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Measurement of threading dislocation densities in gan by wet chemical etching 期刊论文
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235
作者:  Chen, J.;  Wang, J. F.;  Wang, H.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M.
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Effect of twins on the storage capacity of dislocations in submicron-crystalline pure copper 期刊论文
ACTA METALLURGICA SINICA, 2006, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 903-908
作者:  Guo Jinyu;  Lu Qiuhong;  Lu Lei
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Effect of twins on the storage capacity of dislocations in submicron-crystalline pure copper 期刊论文
ACTA METALLURGICA SINICA, 2006, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 903-908
作者:  Guo Jinyu;  Lu Qiuhong;  Lu Lei
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Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:  YANG, TSUNG-HSI;  LEE, CHUNG-LIANG;  YANG, CHU-SHOU;  LUO, GUANGLI;  CHOU, WU-CHING
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Effect of dislocations on the optical homogeneity and uv absorption of kabo crystals 期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:  Liu, Lijuan;  Chen, Chuangtian
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Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type gan 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: 3
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM
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