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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALUMINUM NITRIDE  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON  INSULATOR  TEMPERATURE  FABRICATION  SI(111)  AIN   MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 metamorphic  long wavelength  quantum dots  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  1.3 MU-M  GAAS  EMISSION  RANGE  ISLANDS  ARRAYS  LASERS   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 time-resolved photoluminescence  InAs self-assembled QDs  migration of carriers  1.3 MU-M  DEPENDENT RADIATIVE DECAY  THERMAL REDISTRIBUTION  EXCITONS  RECOMBINATION  RELAXATION  LIFETIMES  EMISSION  EPITAXY  LASERS   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 self-assembled quantum dots  indium arsenide  bimodal size distribution  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MU-M  ISLANDS  DENSITY  EPITAXY  LASER   Improved surface morphology of stacked 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot active regions by introducing annealing processes 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 8, 页码: art.no.081902 Yang T (Yang Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi Jun); Nishioka M (Nishioka Masao); Arakawa Y (Arakawa Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THRESHOLD CURRENT  ROOM-TEMPERATURE  LASERS  MODULATION  LAYER