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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 電磁換能器 专利 专利号: HK1002373A, 申请日期: 2005-07-22, 公开日期: 2005-07-22 作者:  ROBERT M. PARK;  HWA CHENG;  JAMES M. DEPUYDT 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Elektromagnetische Umwandler 专利 专利号: DE69133443D1, 申请日期: 2005-02-24, 公开日期: 2005-02-24 作者:  PARK ROBERT M.;  DEPUYDT JAMES M.;  CHENG HWA 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI   Controlled growth of Zn-polar ZnO epitaxial film by nitridation of sapphire substrate 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11 Mei, ZX; Du, XL; Wang, Y; Ying, MJ; Zeng, ZQ; Zheng, H; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-N-JUNCTIONS  THIN-FILMS  ELECTRONIC-STRUCTURE  FABRICATION  HETEROJUNCTION  SURFACE  RECONSTRUCTIONS