×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2004 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
发表日期:2004
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane algan/gan heterostructures
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508
作者:
Chen, Z
;
Chua, SJ
;
Yuan, HR
;
Liu, XL
;
Lu, DC
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Metalorganic chemical vapor deposition
Semiconducting iii-v materials
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:83/1
  |  
提交时间:2010/10/29
metalorganic chemical vapor deposition
semiconducting III-V materials
DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES
CARRIER CONFINEMENT
EFFECT TRANSISTORS
PHOTOLUMINESCENCE
MOBILITY
HETEROJUNCTION
INTERFACE
HFETS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace