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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 期刊论文 silicon carbide and related materials 2001 pts 1 and 2 proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 期号: 0, 页码: 339-342 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：85/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY   In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：100/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN