×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
厦门大学 [1]
成都山地灾害与环境研... [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2001
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
解析GDP增长率
期刊论文
2001
曾五一
;
尹俊峰
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2011/05/10
GDP
核算
经济增长
accounting
economic growth
成都市可持续发展的功能测度及其建设对策
期刊论文
四川环境, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
方一平
;
陈国阶
;
李伟
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2011/04/12
持续发展
功能测度
建议对策
Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117
Xu HZ
;
Takahashi K
;
Wang CX
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing
crystal quality
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYER
PHASE EPITAXY
DEPENDENCE
DEFECTS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace