QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 铍环电子束焊接接头残余应力分析 Analysis of residual stresses in electron beam welded joint with beryllium ring 期刊论文 2000, 卷号: 29, 页码: 4-5 作者:  凌泽民[1];  周上祺[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 改善等离子涂层界面结合性能及抗氧化性能的研究：激光熔覆改善等离子涂层界面结合性能的研究及热障涂层（TBCs）中热氧化生长（TGO）导致涂层失效的机理及控制 学位论文 博士后, 北京: 中国科学院力学研究所, 2000 作者:  马岳 收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2013/06/04 等离子喷涂  激光熔覆  界面结合性能  热障涂层  离子注入  涂层失效  热氧化生长   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Xu, DP;  Wang, YT;  Yang, H;  Li, SF;  Zhao, DG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/29 Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS   Characteristics of residual stresses in Ti-N films coated by plasma enhanced chemical vapor deposition 会议论文 作者:  Xu, K.;  Ma, S.;  Ji, V. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07