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科研机构
西安理工大学 [1]
半导体研究所 [1]
上海光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2000 [3]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2000
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高温氧化物晶体的生长炉
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: ZL99252128.9, 申请日期: 2000-09-09, 公开日期: 2011-07-14, 2011-07-15
徐军
;
陈杏达
;
陈伟
;
钟鹤裕
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浏览/下载:12/1
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提交时间:2011/07/14
热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 369
张砚华
;
范缇文
;
陈延杰
;
吴巨
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
考虑运动副间隙及全尺寸参数误差的平面连杆机构运动误差的概率分析
期刊论文
2000, 卷号: 17, 页码: 41-43
作者:
王军
;
熊绮华
;
楮金奎
;
王建平
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/25
平面连杆机构误差
概率分析
运动副间隙
虚拟变量法
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