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| 埋込異種構造の超発光ダイオード 专利
专利号: JP3136337B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-19
作者: ジィー-キュー コング; カム イン ラウ; ナダヴ バー-ハイム; イスラエル ユリィ
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| 窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法 专利
专利号: JP2000315814A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
作者: 長濱 慎一; 中村 修二
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| 光変調器及び光通信用光源 专利
专利号: JP2000258739A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22
作者: 石坂 政茂
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| 近接場光発生素子、素子アレイ及びその製造方法 专利
专利号: JP2000228554A, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15
作者: 宮浦 智子
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3080889B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
作者: 中村 隆宏
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| 半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2000133875A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12
作者: 土井 健嗣
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| 発光素子及び光検出器のモノリシック集積化構造及びその製造方法 专利
专利号: JP2000114658A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21
作者: ドゥブラフコ·アイ·バビック; スコット·ダブリュ·コルジン
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2000114654A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21
作者: 福永 敏明
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| 発光素子の光出力を測定するシステム、及びそれに使用される回路 专利
专利号: JP2000114659A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21
作者: ダブラヴコ·アイ·バビック
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2000101190A, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-04-07
作者: 岩本 浩治
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