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期刊论文 [193]
发表日期
2000 [193]
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共193条,第1-10条
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发表日期:2000
内容类型:期刊论文
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Isothermal crystallization kinetics of PEO in poly(ethylene terephthalate)-poly(ethylene oxide) segmented copolymers. I. Effect of the sofi-block length
期刊论文
JOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART B-POLYMER PHYSICS, 2000, 卷号: 38, 期号: 24, 页码: 3230-3238
作者:
Kong, XH
;
Tan, SS
;
Yang, XN
;
Li, G
;
Zhou, EL
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/04/09
Pet-peo Segmented Copolymer
Isothermal Crystallization Kinetics
Avrami Equation
Morphology
Tectonic facies and the archipelago-accretion process of the West Kunlun, China
期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES D-EARTH SCIENCES, 2000, 卷号: 43, 页码: 134-143
作者:
Xiao, WJ
;
Hou, QL
;
Li, JL
;
Windley, BF
;
Hao, J
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/09/26
the West Kunlun orogen
tectonic facies
archipelago-accretion orogen
Tectonic facies and the archipelago-accretion process of the West Kunlun, China
期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES D-EARTH SCIENCES, 2000, 卷号: 43, 页码: 134-143
作者:
Xiao, WJ
;
Hou, QL
;
Li, JL
;
Windley, BF
;
Hao, J
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/09/26
the West Kunlun orogen
tectonic facies
archipelago-accretion orogen
The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:
Gao, F
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Lin, YX
;
Kong, MY
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gsmbe
Sige alloy
Doping
Sims
Hbt
Current gain
Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:
Gao, F
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Lin, YX
;
Kong, MY
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Si growth rate
P doping
Ph3 flow rate
P segregation
Gsmbe
Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of mbe-grown chlorine-doped znse epilayers
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553
作者:
Wang, SZ
;
Xie, SW
;
Pang, QJ
;
Zheng, H
;
Xia, YX
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Mbe
Znse : cl
Photoluminescence
Quenching mechanisms
Linking and existence results for perturbations of the p-Laplacian
期刊论文
NONLINEAR ANALYSIS-THEORY METHODS & APPLICATIONS, 2000, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 1413-1420
作者:
Fan, XL
;
Li, ZC
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/12/16
p-Laplacian
linking
critical points
eigenvalues
subcritical growth
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:
Gao, F
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Lin, YX
;
Kong, MY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2021/02/02
Si growth rate
P doping
PH3 flow rate
P segregation
GSMBE
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:
Gao, F
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Lin, YX
;
Kong, MY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/02/02
Si growth rate
P doping
PH3 flow rate
P segregation
GSMBE
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:
Gao, F
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Lin, YX
;
Kong, MY
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/02/02
GSMBE
SiGe alloy
doping
SIMS
HBT
current gain
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