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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN   Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice  X-ray diffraction  periodicity fluctuation  MBE  RHEED  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  ALLOYS  DIFFRACTION  COEFFICIENT  SOLUBILITY  OPERATION  GAAS1-XNX  GAASN   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN