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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
1999 [5]
学科主题
半导体物理 [5]
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发表日期:1999
学科主题:半导体物理
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The intrinsic temperature effect of the Raman spectra of graphite
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 13, 页码: 1818-1820
作者:
Tan PH
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
CARBON NANOTUBES
SCATTERING
1ST-ORDER
DIAMOND
DEPENDENCE
FIBERS
MODEL
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
2nd international conference on radiation effects on semiconductor materials, detectors and devices, florence, italy, mar 04-06, 1998
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
N-EFF
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
收藏
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浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/08/12
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
N-EFF
Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate
期刊论文
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
Arsenic clusters on the surface of vertically aligned InAs islands on GaAs substrate by annealing
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 19, 页码: 2951-2953
Fan TW
;
Mo QW
;
Lin F
;
Wang ZG
;
Zhang W
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
OPTICAL-PROPERTIES
LUMINESCENCE
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