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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 多波長半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30 作者:  宮澤 丈夫;  永沼 充 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Rapid thermal annealing processing of GaN epilayer on sapphire(0 0 0 1) 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 298-301 Li XB; Sun DZ; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL-GROWTH  LAYERS  GAAS  FILMS   Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938 Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LAYERS  GAAS  HYDROGEN  FILMS   Plasma pretreatment of GaAs substrates and ECR-PAMOCVD of cubic GaN 会议论文 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (2nd ISBLLED), CHIBA, JAPAN 作者:  Gu, B;  Xu, Y;  Qin, FW;  Wang, SS 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06