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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001) 期刊论文 Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88 作者:  Zou, LF;  Acosta-Ortiz, SE;  Zou, LX;  Regalado, LE;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Implantation  Ge ion  Bf2 ion   Semiconductor laser including disordered window regions 专利 专利号: US5764669, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09 作者:  NAGAI, YUTAKA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18 作者:  井手 雄一 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 Annealing behavior of inas/gaas quantum dot structures 期刊论文 Journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 作者:  Wang, ZM;  Feng, SL;  Lu, ZD;  Zhao, Q;  Yang, XP 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Inas/gaas  Quantum dots   Interdiffusion in Ni80Fe20/Mo magnetic multilayers 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 1998, 卷号: 187, 期号: 1, 页码: 12 Zhang, XY; Xu, YF; Yan, ML; Chao, LM; Zhang, M; Zhao, JH; Lai, WY; Wang, WK 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/18 OSCILLATORY INTERLAYER EXCHANGE  GIANT MAGNETORESISTANCE  AMORPHOUS-SILICON  SUPERLATTICES  DIFFUSION   Formation process of interfaces and microdefects in nanostructured Ag studied by positron lifetime spectroscopy 期刊论文 Journal of Physics-Condensed Matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 13, 页码: 3075-3088 X. Y. Qin; J. S. Zhu; L. D. Zhang; X. Y. Zhou 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/14 nanocrystalline materials  temperature-dependence  grain-boundaries  palladium  microstructure  diffusion  metals  hrem  iron   Direct observation of incommensurate modulation in phase-separated Cu-rich La2CuO4.003 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1998, 卷号: 80, 期号: 12, 页码: 2701 Dong, XL; Dong, ZF; Zhao, BR; Zhao, ZX; Duan, XF; Peng, LM; Huang, WW; Xu, B; Zhang, YZ; Guo, SQ; Zhao, LH; Li, L 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 SUPERCONDUCTING LA2CUO4+DELTA  ELECTROCHEMICAL OXIDATION  OXYGEN DIFFUSION  SPINS  HOLES  TEMPERATURE  LA2NIO4.125   Solid/liquid interface of Ag/Sn/Ag trilayers by in situ resistivity measurement 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 205 Zhao, JH; Liu, RP; Zhang, XY; Cao, LM; Zhang, M; He, DW; Dai, DY; Xu, YF; Wang, WK 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 MULTILAYERS   Au/GaP接触体系界面特性的XPS分析 期刊论文 1998 林秀华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/05/17 Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES