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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 电流增益与IGBT的开通及关断特性 期刊论文 1998, 页码: 29-31 作者:  张华曹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25 IGBT  通态压降  通态和关断特性  αpnp最佳值   SI-SIGE/SIHBT真流特性的解析模型与模拟 期刊论文 北京工业大学学报, 1998, 期号: 2, 页码: 32-38 作者:  张万荣;  罗晋生;  李志国;  穆甫臣;  程尧海 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 电流增益  应变层  异质结  晶体管   Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究 期刊论文 半导体学报, 1998, 期号: 10, 页码: 45+47+49+51+46+48+50 作者:  郭宝增[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 HBT  Si/Si  x)Ge_x  直流特性  应变层  基区  异质结晶体管  集电区  集电极电流  电流增益