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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Rapid thermal annealing processing of GaN epilayer on sapphire(0 0 0 1) 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 298-301 Li XB; Sun DZ; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL-GROWTH  LAYERS  GAAS  FILMS   Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study 会议论文 symposium on applications of synchrotron radiation techniques to materials science iv, san francisco, ca, apr 13-17, 1998 Han YJ; Jiang JH; Wang ZG; Liu XL; Jiao JH; Tian YL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29