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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1997     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 259-262 Cheng TS; Foxon CT; Ren GB; Jeffs NJ; Orton JW; Novikov SV; Xin Y; Brown PD; Humphreys CJ; Halliwell M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  GALLIUM NITRIDE