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レーザダイオード 专利
专利号: JP2547465B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者:  田中 治夫;  中田 直太郎
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半導体レ—ザ装置 专利
专利号: JP2532892B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-11
作者:  山内 英樹
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