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半導体レーザ 专利
专利号: JP1995120836B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  北村 光弘;  麻多 進
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半導体レ-ザアレイ装置 专利
专利号: JP1995120834B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  粂 雅博;  伊藤 国雄
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Light emitting device having first and second cladding layers with an active layer and carrier blocking layer therebetween 专利
专利号: US5475237, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者:  NARUI, FUMIYO;  OZAWA, MASAFUMI
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1995111967B2, 申请日期: 1995-11-29, 公开日期: 1995-11-29
作者:  長坂 博子;  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  山本 基幸;  武藤 雄平
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor metal contacting structure and a light emitting device 专利
专利号: US5471067, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
作者:  IKEDA, MASAO;  ITO, SATOSHI;  IOCHI, YOSHINO;  MIYAJIMA, TAKAO;  OZAWA, MASAFUMI
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1995109926B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22
作者:  近藤 正樹;  佐々木 和明;  森本 泰司;  松本 晃広;  細羽 弘之
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Method of making a VCSEL 专利
专利号: US5468656, 申请日期: 1995-11-21, 公开日期: 1995-11-21
作者:  SHIEH, CHAN-LONG;  LEBBY, MICHAEL S.;  LUNGO, JOHN
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device having a single wire between non-parallel surfaces 专利
专利号: US5468683, 申请日期: 1995-11-21, 公开日期: 1995-11-21
作者:  VAN DE PAS, HERMANUS A.;  TIJBURG, RUDOLF P.;  DE POORTER, JOHANNES A.
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半導体発光装置 专利
专利号: JP1995107945B2, 申请日期: 1995-11-15, 公开日期: 1995-11-15
作者:  塚田 俊久;  福沢 董
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1995105550B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者:  岡崎 二郎
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