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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1995111967B2, 申请日期: 1995-11-29, 公开日期: 1995-11-29
作者:  長坂 博子;  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  山本 基幸;  武藤 雄平
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High performance gaas devices and method 专利
专利号: US5436499, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
作者:  NAMAVAR, FEREYDOON;  KALKHORAN, NADER M.
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苏云金杆菌流加发酵过程优化控制 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 1995
董晓
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分布帰還型半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995001816B2, 申请日期: 1995-01-11, 公开日期: 1995-01-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也;  水戸 郁夫
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/24
MODIFIED GROWTH OF MERCURIC IODIDE-CRYSTALS FROM THE VAPOR-PHASE 期刊论文
Crystal Research and Technology, 1995, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 595-598
Z. H. Li; W. T. Li; J. Liu; S. F. Zhu; B. J. Zhao; H. Yuan; H. P. Xu
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2012/04/14
IMPROVED TECHNIQUE FOR HGI2 PURIFICATION 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1995, 卷号: 156, 期号: 1-2, 页码: 86-90
Z. H. Li; W. T. Li; J. Liu; B. J. Zhao; S. F. Zhu; H. P. Xu; H. Yuan
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/04/14
MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH, CHARACTERIZATION AND PERFORMANCE OF HIGH-DETECTIVITY GAINASSB/GASB PIN DETECTORS OPERATING AT 2.0 TO 2.6 MU-M 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1995, 卷号: 150, 期号: 1-4, 页码: 1375-1378
LI, AZ; ZHONG, JQ; ZHENG, YL; WANG, JX; RU, GP; BI, WG; QI, M
收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2012/03/25
AMPEROMETRIC BIOSENSORS BASED ON THE IMMOBILIZATION OF OXIDASES IN A PRUSSIAN BLUE FILM BY ELECTROCHEMICAL CODEPOSITION 期刊论文
analytica chimica acta, 1995, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 429-436
CHI QJ; DONG SJ
收藏  |  浏览/下载:27/6  |  提交时间:2010/12/30


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