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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：1995     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement effect of plasma-enhanced chemical-vapor-deposited sin capping layer on dielectric cap quantum-well disordering 期刊论文 Japanese journal of applied physics part 2-letters & express letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 4a, 页码: L418-l421 作者:  CHOI, WJ;  LEE, S;  ZHANG, JM;  KIM, Y;  KIM, SK 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric cap quantum well disordering  Gaas/algaas multiple quantum well  Silicon nitride  Pecvd  Vacancy diffusion   Study of Surfacial Structure of Nano Si(3)N(4) by Fourier Infrared Diffusion Reflection Spectra 期刊论文 Acta Physico-Chimica Sinica, 1995, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: 881-889 Y. L. Li; Y. Gao; Y. Liang; F. Zheng; K. S. Xiao; Z. Q. Hu 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/14 Infrared spectra  Si(3)N(4)  Surface   STUDIES ON THE FREE-VOLUME CHANGE IN ANNEALED ULTRA-HIGH-MOLECULAR-WEIGHT POLYETHYLENE BY THE POSITRON-ANNIHILATION TECHNIQUE 期刊论文 Physica Status Solidi a-Applied Research, 1995, 卷号: 147, 期号: 2, 页码: 447-452 S. Y. Shen; J. H. Lou; J. X. Cheng; K. L. Hong; Q. G. Zhu; X. Y. Zhou 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/14 dependence  polymers   DIFFUSION PROCESS OF NITROGEN IN SM2FE17 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 1995, 卷号: 222, 页码: 113 HU, JF; ZHAO, TY; GUO, HQ; SHEN, BG; WANG, ZX; LIU, GC; WANG, KY; WANG, YZ; HU, BP 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 INTERMETALLIC COMPOUNDS  PATTERNS   A STUDY OF THE COMPOSITION DISTRIBUTION AT THE TI/AL2O3 INTERFACE USING THE MCS(+)-SIMS TECHNIQUE 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1995, 卷号: 89, 期号: 2, 页码: 169 CHEN, X; WANG, YX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 ION MASS-SPECTROMETRY  SECONDARY   形成半导体量子线结构的质子注入方法研究 期刊论文 1995 吴正云; 黄启圣 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 A STUDY OF THE COMPOSITION DISTRIBUTION AT THE TI/AL2O3 INTERFACE USING THE MCS(+)-SIMS TECHNIQUE 期刊论文 applied surface science, 1995, 卷号: 89, 期号: 2, 页码: 169-173 CHEN X; WANG YX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 ION MASS-SPECTROMETRY  SECONDARY   ENHANCEMENT EFFECT OF PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIN CAPPING LAYER ON DIELECTRIC CAP QUANTUM-WELL DISORDERING 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 4a, 页码: l418-l421 CHOI WJ; LEE S; ZHANG JM; KIM Y; KIM SK; LEE JI; KANG KN; CHO K 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 DIELECTRIC CAP QUANTUM WELL DISORDERING  GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM WELL  SILICON NITRIDE  PECVD  VACANCY DIFFUSION  OUT-DIFFUSION  WAVE-GUIDE  LASERS  GAAS  FILMS