×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
金属研究所 [3]
半导体研究所 [3]
物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
1994 [7]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
发表日期:1994
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Passivation of copper by lithium in p-type gaas
期刊论文
Physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 1996-1998
作者:
EGILSSON, T
;
GISLASON, HP
;
YANG, BH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
STUDIES OF THE PROMISING MATERIAL COSI2 ON GAAS SUBSTRATES
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1994, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 335
JIN, G
;
WEIDE, C
;
HSU, CC
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/09/24
SCHOTTKY
AMORPHOUS PHASE GROWTH BY ISOTHERMAL ANNEALING-INDUCED INTERDIFFUSION REACTIONS IN MECHANICALLY DEFORMED NI/TI MULTILAYERED COMPOSITES
期刊论文
Journal of Materials Science, 1994, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2981-2986
T. D. Shen
;
M. X. Quan
;
J. T. Wang
;
Z. Q. Hu
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/04/14
solid-state amorphization
binary diffusion couples
x-ray-diffraction
elemental composites
grain-boundaries
film
alloy
zr
ni
interfaces
THERMAL-ACTIVATION PARAMETERS AND THE ANNEALING PROCESS OF THE HYDROGEN RELAXATION PEAK IN AN AUSTENITIC STAINLESS-STEEL
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 1994, 卷号: 212, 页码: 241-244
G. Y. Li
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2012/04/14
internal-friction
MEASUREMENTS OF INTERDIFFUSION IN COMPOSITIONALLY MODULATED AMORPHOUS NI/SI MULTILAYERS BY IN-SITU X-RAY-DIFFRACTION
期刊论文
Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 1994, 卷号: 22, 期号: 2-3, 页码: 211-216
W. H. Wang
;
H. Y. Bai
;
H. Chen
;
Y. Zhang
;
W. K. Wang
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/04/14
silicon
films
diffusion
relaxation
metals
PASSIVATION OF COPPER BY LITHIUM IN P-TYPE GAAS
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 1996-1998
EGILSSON T
;
GISLASON HP
;
YANG BH
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
PHOTO-LUMINESCENCE
DEUTERIUM
IMPURITY
DEFECTS
CU
STUDIES OF THE PROMISING MATERIAL COSI2 ON GAAS SUBSTRATES
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1994, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 335-337
JIN G
;
WEIDE C
;
HSU CC
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/11/15
SCHOTTKY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace