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Semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1990246175A, 申请日期: 1990-10-01, 公开日期: 1990-10-01
作者:  MATSUOKA TAKASHI;  SASAKI TORU;  KATSUI AKINORI
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智能模糊控制系统建模、推理、控制方法及其应用研究 学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院自动化研究所, 1990
作者:  黄重国
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990100381A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
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Superlattice structure semiconductor device 专利
专利号: JP1990096384A, 申请日期: 1990-04-09, 公开日期: 1990-04-09
作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990067778A, 申请日期: 1990-03-07, 公开日期: 1990-03-07
作者:  IWANO HIDEAKI
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Manufacture of semiconductor quantum box structure 专利
专利号: JP1990031479A, 申请日期: 1990-02-01, 公开日期: 1990-02-01
作者:  TAKANO SHINJI
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/31
Method for inspecting an optical fiber 专利
专利号: CA1264235C, 申请日期: 1990-01-09, 公开日期: 1990-01-09
作者:  YOSHIDA NORIYUKI;  TAKAHASHI KENICHI
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23
INNER-SHELL ELECTRON-ENERGY LOSS SPECTRA OF NO2 AT HIGH-RESOLUTION - COMPARISON WITH MULTICHANNEL QUANTUM DEFECT CALCULATIONS OF DIPOLE OSCILLATOR-STRENGTHS AND TRANSITION ENERGIES 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS, 1990, 卷号: 140, 期号: 2, 页码: 265
ZHANG, W; SZE, KH; BRION, CE; TONG, XM; LI, JM
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/09/18
LIGHT-INDUCED CHANGE IN DEFECT-BAND PHOTOLUMINESCENCE OF DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 1990, 卷号: 41, 期号: 18, 页码: 12744
QIU, CH; PANKOVE, JI
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2013/09/18
A SIMPLE APPROACH TO QUASI-CRYSTAL STRUCTURE AND PHASON DEFECT FORMULATION 期刊论文
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION A, 1990, 卷号: 46, 页码: 142
LI, FH; CHENG, YF
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/09/17


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