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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1989309391A, 申请日期: 1989-12-13, 公开日期: 1989-12-13 作者:  HASHIMOTO AKIHIRO;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  WATANABE NOZOMI 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利 专利号: JP1989293690A, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27 作者:  IKUWA YOSHITO 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利 专利号: JP1989251684A, 申请日期: 1989-10-06, 公开日期: 1989-10-06 作者:  WATANABE YUKIO;  ISHIKAWA MASAYUKI;  ITAYA KAZUHIKO 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 Preservation of surface features on semiconductor surfaces 专利 专利号: US4805178, 申请日期: 1989-02-14, 公开日期: 1989-02-14 作者:  WILT, DANIEL P. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1989, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 451 XIAO, GM; YIN, SD; ZHANG, JP; FAN, TW; LIU, JR; DING, AJ; ZHOU, JM; ZHU, PR 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/24 REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING 期刊论文 chinese physics letters, 1989, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 451-454 XIAO GM; YIN SD; ZHANG JP; FAN TW; LIU JR; DING AJ; ZHOU JM; ZHU PR 收藏  |  浏览/下载：127/11  |  提交时间：2010/11/15