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| Light emitting element 专利 专利号: JP1986271888A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02 作者: KAMIJO TAKESHI; WATANABE NOZOMI; TAKAMORI TAKESHI; KAWAHARA MASATO 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor laser 专利 专利号: JP1986269391A, 申请日期: 1986-11-28, 公开日期: 1986-11-28 作者: HIRANO MASAO 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer 专利 专利号: US4618959, 申请日期: 1986-10-21, 公开日期: 1986-10-21 作者: MITO, IKUO 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Liquid phase epitaxial growth method 专利 专利号: JP1986222124A, 申请日期: 1986-10-02, 公开日期: 1986-10-02 作者: MORIMOTO TAIJI; HOSODA MASAHIRO; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| THE PHASE-TRANSITION IN THE 2-LEVEL R(4) PAIRING FORCE MODEL 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 1986, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 959-967 作者: XU, GO; LI, FL 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/12/15 |
| Semiconductor device having superlattice structure 专利 专利号: US4603340, 申请日期: 1986-07-29, 公开日期: 1986-07-29 作者: DIL, JAN G. 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Semiconductor laser 专利 专利号: JP1986148892A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07 作者: OSHIMA HIROYUKI; IWANO HIDEAKI; KOMATSU HIROSHI; TSUNEKAWA YOSHIFUMI 收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| ELECTRONIC-ENERGY BAND-STRUCTURE OF MOLECULAR-CRYSTAL TTF-TCNQ - CHANGE OF ENERGY-BAND STRUCTURE DURING PEIERLS PHASE-TRANSITION 期刊论文 SCIENTIA SINICA SERIES B-CHEMICAL BIOLOGICAL AGRICULTURAL MEDICAL & EARTH SCIENCES, 1986, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 698-708 作者: YAN, JM; ZHANG, QY; LIU, JK 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/09 |
| Semiconductor device without substrate and manufacture thereof 专利 专利号: JP1986144015A, 申请日期: 1986-07-01, 公开日期: 1986-07-01 作者: YANASE TOMOO; INAI MOTOHIKO; MITO IKUO; MATSUMOTO TAKU; USUI AKIRA 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Photosemiconductor device 专利 专利号: JP1986137383A, 申请日期: 1986-06-25, 公开日期: 1986-06-25 作者: HAYAKAWA TOSHIRO; SUYAMA NAOHIRO; TAKAHASHI KOUSEI; YAMAMOTO SABURO 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/13 |