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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1986     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor device 专利 专利号: JP1986127190A, 申请日期: 1986-06-14, 公开日期: 1986-06-14 作者:  SHIMIZU AKIRA;  HARA TOSHITAMI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  MIYAZAWA SEIICHI;  NOJIRI HIDEAKI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 750kV大气型高梯度加速管 期刊论文 原子能科学技术, 1986, 期号: 6, 页码: 649-654 作者:  陈监璞;  郁庆长;  马兴华;  钱菊玲;  舒传玉 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/12/14 预注入器  高梯度加速管  退锻率