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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1986     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 低能量离子对PbS表面改性的研究 期刊论文 激光与红外, 1986, 期号: 11, 页码: 34-36 作者:  马树勋;  张之津;  柳纪虎 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/07/18 表面改性:5084  低能量:4327  暗电阻:2960  探测灵敏度:2909  能量离子:2806  处理时间:2781  离子轰击:2740  光敏性:2418  空气处理:2224  薄膜:2068   氮化硅薄膜厚度对硅器件电学参数的影响 期刊论文 微电子学与计算机, 1986, 期号: 06 李鸿明; 袁荣祯; 赵祥生 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29