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Photo semiconductor device 专利
专利号: JP1984108385A, 申请日期: 1984-06-22, 公开日期: 1984-06-22
作者:  NAKAJIMA MASATO;  HASUMI HIDEYO
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预复合反应的一、二、无穷大”模型与核尺度效应 期刊论文
高能物理与核物理, 1984, 期号: 4, 页码: 99-104
作者:  潘缉智;  姜焕清
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